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“场效应管IRF4905现货供应 IR全新原装”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | IR |
| 类型： | 耗尽型MOS管(N沟道) | 材料： | GE-P-FET锗P沟道 |
| 封装外形： | To220 | 用途： | MOS-INM/独立组件 |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | IRF4905PBF |
| 规格： | 原装 | 商标： | IR |
| 包装： | 管件 |
“场效应管IRF4905现货供应 IR全新原装”详细介绍
| 类别 | 分立半导体产品 |
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|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
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| 制造商 | Infineon Technologies |
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| 系列 | HEXFET® |
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| 包装 | 管件 |
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| 零件状态 | 在售 |
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| FET 类型 | P 沟道 |
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| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
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| 漏源电压（Vdss） | 55V |
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| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 74A（Tc） |
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| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
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| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3400pF @ 25V |
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| Vgs（最大值） | ±20V |
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| FET 功能 | - |
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| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 38A，10V |
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| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
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| 安装类型 | 通孔 |
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| 供应商器件封装 | TO-220AB |